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PSMN2R0-30YL,115  与  BSC020N03LS G  区别

型号 PSMN2R0-30YL,115 BSC020N03LS G
唯样编号 A36-PSMN2R0-30YL,115 A-BSC020N03LS G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PSMN Series 30 V 2 mOhm 97 W N-Channel Logic Level Mosfet SMT - SOT-669
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 1.7mΩ
上升时间 - 7ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 97W 96W
Qg-栅极电荷 - 93nC
输出电容 857pF -
栅极电压Vgs 1.7V 20V
正向跨导 - 最小值 - 65S
典型关闭延迟时间 - 42ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT669 -
工作温度 175℃ -55°C~150°C
连续漏极电流Id 100A 100A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
输入电容 3980pF -
长度 - 5.9mm
Rds On(max)@Id,Vgs 2.63mΩ@4.5V,2mΩ@10V -
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 11ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN2R0-30YL,115 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-30YL_SOT669 N-Channel 97W 175℃ 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 当前型号
BSC020N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC020N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC020N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC020N03LSGATMA1_30V 100A 1.7mΩ 20V 96W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC020N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC020N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC020N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC020N03MSGATMA1_30V 25A 1.7mΩ 20V 96W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
TPCA8026(TE12L,Q,M Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5) 150°C(TJ) 30 V 45A(Ta)

暂无价格 0 对比

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